锴威特获得发明专利授权：“一种SiCMOSFET驱动电路、控制芯片和开关电源”

证券之星消息，根据企查查数据显示锴威特（688693）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种SiCMOSFET驱动电路、控制芯片和开关电源”，专利申请号为CN202410234438.X，授权日为2024年5月7日。

专利摘要：本发明涉及SiC MOSFET驱动技术领域,公开了一种SiC MOSFET驱动电路、控制芯片和开关电源，SiC MOSFET驱动电路包括上开关单元、下开关单元、负压电荷泵、钳压单元、电平转换单元和信号处理单元；在实际使用时，当需要输出高电平信号时，通过钳压单元可以使上开关单元的输出端的电压钳位至目标电压；当需要输出低电平信号时，通过负压电荷泵提供负压，通过电平转换单元和信号处理单元将上开关单元的输出端设置为负压，从而保证SiC MOSFET在关断期间不会受到栅极串扰出现误开启。

今年以来锴威特新获得专利授权16个，较去年同期增加了433.33%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了3602.11万元，同比增58.55%。

数据来源：企查查

以上内容由证券之星根据公开信息整理，由算法生成（网信算备310104345710301240019号），与本站立场无关，如数据存在问题请联系我们。本文为数据整理，不对您构成任何投资建议，投资有风险，请谨慎决策。