证券之星消息,根据企查查数据显示士兰微(600460)新获得一项发明专利授权,专利名为“半导体器件及其制造方法”,专利申请号为CN202010357589.6,授权日为2024年5月3日。
专利摘要:本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括:衬底;外延层,位于衬底上;绝缘层,位于外延层上,具有多个接触孔;隔离区,位于外延层中,从外延层的上表面延伸至衬底的上表面;第一轻掺杂区,位于外延层中并且从隔离区内部横向延伸至外延层中,第一轻掺杂区超出隔离区第一预定长度;以及第一导电层,位于绝缘层上,并且位于第一轻掺杂区上方,横向超出第一轻掺杂区第三预定长度,其中,第一引线经由接触孔与第一轻掺杂区相连。该半导体器件通过设置第一轻掺杂区和第一导电层,减小了耗尽线的弯曲程度,进一步减小了耗尽线终端的弯曲程度,延长了耗尽线的长度,从而减小了场强,进而达到了提高半导体器件耐压程度的目的。
今年以来士兰微新获得专利授权27个,较去年同期减少了10%。结合公司2023年年报财务数据,2023年公司在研发方面投入了8.64亿元,同比增21.47%。
数据来源:企查查
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