一博科技获得发明专利授权：“一种提高DDR仿真精度的封装模型及其建模方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示一博科技（301366）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种提高DDR仿真精度的封装模型及其建模方法”，专利申请号为CN202110115835.1，授权日为2024年5月3日。

专利摘要：本发明涉及一种提高DDR仿真精度的封装模型，包括电阻R以及具有阻抗Z和时延TD的传输线模型，电阻R和传输线模型串联，本发明还涉及一种提高DDR仿真精度的封装模型建模方法，在高频信号的封装链路中，通过提取、修正RLC参数，获得修正后的封装模型，用以表征封装链路。本发明利用现有的主芯片仿真模型的RLC参数，进行修正，并串接原电阻，获得修正后的封装模型，通过修正后的封装模型仿真DDR系统的一组数据信号，获得与测试结果相符的仿真结果，本发明提高了DDR仿真精度，确保了仿真结果和测试结果的一致性，为PCB板的设计和调试提供了精确的数据。

今年以来一博科技新获得专利授权33个，较去年同期增加了1550%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了1.01亿元，同比增32.62%。

数据来源：企查查

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