晶合集成获得发明专利授权：“半导体结构的制作方法、电路及芯片”

证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构的制作方法、电路及芯片”，专利申请号为CN202410033303.7，授权日为2024年4月26日。

专利摘要：本公开涉及一种半导体结构的制作方法、电路及芯片，半导体结构的制作方法，包括：提供衬底；在衬底上形成下电极，在下电极的顶面上形成绝缘层；于绝缘层上形成第一光刻胶掩膜，在第一光刻胶掩膜中形成第一开口，第一开口至少暴露出绝缘层的部分顶面；形成顶层金属层，部分顶层金属层填充到第一开口中并叠置在绝缘层上，另一部分顶层金属层覆盖在第一光刻胶掩膜上；去除第一光刻胶掩膜和第一光刻胶掩膜上的顶层金属层，第一开口中的顶层金属层形成上电极，上电极和下电极交叠的区域形成半导体结构，半导体结构的结构和性能完整，没有断线的问题。

今年以来晶合集成新获得专利授权108个，较去年同期增加了134.78%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了10.58亿元，同比增23.39%。

数据来源：企查查

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