乾照光电获得发明专利授权：“半导体发光芯片及其制造方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示乾照光电（300102）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体发光芯片及其制造方法”，专利申请号为CN201810874009.3，授权日为2024年4月23日。

专利摘要：本发明公开了一半导体发光芯片及其制造方法，其中所述半导体发光芯片包括一衬底和自所述衬底依次生长的一N型半导体层、一有源区、一P型半导体层、一反射层、至少两绝缘层、一防扩散层以及一电极组，其中一个所述绝缘层环绕在所述反射层的内侧，另一个所述绝缘层环绕在所述反射层的外侧，并且所述绝缘层隔离所述防扩散层和所述P型半导体层，其中所述电极组包括一N型电极和一P型电极，其中所述N型电极被电连接于所述N型半导体层，所述P型电极被电连接于所述P型半导体层。

今年以来乾照光电新获得专利授权11个，较去年同期增加了57.14%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了1.21亿元，同比增6.42%。

数据来源：企查查

以上内容由证券之星根据公开信息整理，由算法生成（网信算备310104345710301240019号），与本站立场无关，如数据存在问题请联系我们。本文为数据整理，不对您构成任何投资建议，投资有风险，请谨慎决策。