乾照光电获得发明专利授权：“发光二极管的半导体芯片及其量子阱层和制造方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示乾照光电（300102）新获得一项发明专利授权，专利名为“发光二极管的半导体芯片及其量子阱层和制造方法”，专利申请号为CN201811072704.4，授权日为2024年4月19日。

专利摘要：本发明公开了一发光二极管的半导体芯片及其量子阱层和制造方法，其中所述半导体芯片包括一衬底和依次层叠于所述衬底的一N型氮化镓层、一量子阱层和一P型氮化镓层以及被电连接于所述N型氮化镓层的一N型电极和被电连接于所述P型氮化镓层的一P型电极，其中其中所述量子阱层包括依次层叠的至少一量子垒和至少一量子阱，所述量子垒和所述量子阱的生长压力不同，通过这样的方式，能够改善所述量子阱和所述量子垒的阱垒界面的晶体质量，以提高所述发光二极管的光效。

今年以来乾照光电新获得专利授权10个，较去年同期增加了66.67%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了1.21亿元，同比增6.42%。

数据来源：企查查

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