捷捷微电获得发明专利授权：“一种带有过压斩波特性的可控硅芯片及其制备方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示捷捷微电（300623）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种带有过压斩波特性的可控硅芯片及其制备方法”，专利申请号为CN201910313691.3，授权日为2024年4月16日。

专利摘要：本发明公开了一种带有过压斩波特性的可控硅芯片及其制备方法，芯片包含中部的N型长基区N1，P型短基区P2、P3、P4、P5、P6、P7，隔离墙P1，扩磷区域N2（或扩磷区域N2、N3、N4）等。尤其所述的：P型短基区P4与P2、P3之间由N型长基区N1隔开，P型短基区P7与P5、P6之间由N型长基区N1隔开；P型短基区P4、P7与N型长基区N1形成可控硅的斩波特性，使得可控硅既提升自身防护能力、又可以保护后端电路的器件，甚至可以取消前端的TVS保护器件，既提升了电路安全性、又简化了电路器件，且降低生产制造成本。

今年以来捷捷微电新获得专利授权10个，较去年同期增加了150%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了2.57亿元，同比增20.78%。

数据来源：企查查

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