四方光电获得发明专利授权：“一种氮氧传感器芯片及其制备方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示四方光电（688665）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种氮氧传感器芯片及其制备方法”，专利申请号为CN202210241548.X，授权日为2024年4月16日。

专利摘要：本发明提供了一种氮氧传感器芯片及其制备方法，包括从上到下依次叠压的氧化锆泵氧层基片、氧化锆能斯特泵氧层基片、氧化锆空气参比层基片和氧化锆加热基层基片；氧化锆泵氧层基片的上表面印刷有外泵电极和多孔保护层，下表面印刷有内泵电极；氧化锆能斯特泵氧层基片的上表面印刷有内泵电极和待测气体扩散障，下表面印刷有参比电极；氧化锆空气参比层基片的上表面印刷有参比气体扩散障，且参比电极与参比气体扩散障中的大气连通；氧化锆加热基层基片的上表面印刷有加热电极，加热电极的上下表面贴有绝缘贴膜层流延片和复合贴膜层流延片。本发明芯片结构简单，简化了工艺流程，降低不同材料之间共烧产生的内应力，提高了产品质量。

今年以来四方光电新获得专利授权6个，较去年同期增加了100%。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了2951.65万元，同比增21.97%。

数据来源：企查查

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