南大光电获得实用新型专利授权：“榫槽面密封结构及半导体容器”

证券之星消息，根据企查查数据显示南大光电（300346）新获得一项实用新型专利授权，专利名为“榫槽面密封结构及半导体容器”，专利申请号为CN202322191566.4，授权日为2024年4月9日。

专利摘要：本实用新型公开了一种榫槽面密封结构及半导体容器。榫槽面密封结构包括：第一连接机构、第二连接机构和密封机构，第一连接机构上设置有至少一第一槽状结构，第二连接机构上设置有至少一第一凸起结构，密封机构设置在第一槽状结构内，当第一连接机构与第二连接机构结合时，至少第一凸起结构的部分设置在第一槽状结构内，密封机构位于第一凸起结构与第一槽状结构之间，密封机构能够在外力压迫下发生变形，密封机构与第一槽状结构的第一槽面、第一凸起结构的第一榫面无间隙的贴合。本实用新型适用于真空工况、高压工况、高温工况，且可避免密封机构被半导体介质腐蚀、破损而导致密封失效以及对容器主体内的半导体介质造成污染的问题发生。

今年以来南大光电新获得专利授权9个，较去年同期增加了125%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了1.94亿元，同比增10.53%。

数据来源：企查查

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