芯联集成获得发明专利授权：“晶体管器件和闪存存储器的集成结构及其集成方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示芯联集成（688469）新获得一项发明专利授权，专利名为“晶体管器件和闪存存储器的集成结构及其集成方法”，专利申请号为CN202311482294.1，授权日为2024年4月5日。

专利摘要：本发明提供了一种晶体管器件和闪存存储器的集成结构及其集成方法。该集成方法包括：提供衬底，并在衬底上形成导电材料层，该导电材料层覆盖闪存区域的衬底顶表面和晶体管区域内的栅极沟槽；以及，对该导电材料层执行刻蚀工艺，以在闪存区域内形成闪存存储器的浮栅或者控制栅，并在晶体管区域中利用所述栅极沟槽内的导电材料构成晶体管器件的栅电极。即，本发明提供的集成方法，可以将闪存存储器和晶体管器件集成设置在同一芯片上，有利于实现产品的小型化。并且，在该集成方法中，利用同一导电材料层同时制备闪存存储器中的控制栅（或者浮栅）与晶体管器件中的栅电极，使得集成工艺得以简化。

今年以来芯联集成新获得专利授权17个，较去年同期减少了10.53%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了15.29亿元，同比增82.25%。

数据来源：企查查

以上内容由证券之星根据公开信息整理，由算法生成，与本站立场无关。证券之星力求但不保证该信息（包括但不限于文字、视频、音频、数据及图表）全部或者部分内容的的准确性、完整性、有效性、及时性等，如存在问题请联系我们。本文为数据整理，不对您构成任何投资建议，投资有风险，请谨慎决策。