乐鑫科技获得发明专利授权：“基于FGDNMOS管的电源低电压监测电路”

证券之星消息，根据企查查数据显示乐鑫科技（688018）新获得一项发明专利授权，专利名为“基于FGDNMOS管的电源低电压监测电路”，专利申请号为CN202011610504.7，授权日为2024年4月2日。

专利摘要：本发明提供了一种基于栅极反掺杂NMOS管的电源低电压监测电路，用于监测系统的电源电压VDD是否低于电源电压阈值，其特征在于，包括第一电容器、第二电容器、反相器、第一PMOS管和第一NOMS管；还包括第一电流镜、第二NMOS管、栅极反掺杂NMOS管和第三NMOS管，其中第二NMOS管的栅极用于接收参考电压；第二NMOS管和栅极反掺杂NMOS管的电流密度被调整成使得产生带隙基准电压，从而电源电压阈值为参考电压Vref与带隙基准电压之和，当电源电压低于电源电压阈值时，反相器输出指示信号为低电平。本发明的基于栅极反掺杂NMOS管的电源低电压监测电路具有低功耗、对电源电压下降的响应低延迟而对电源电压上升的响应高延迟的特性，能够方便可靠的方式保证系统中电子器件的稳定工作。

今年以来乐鑫科技新获得专利授权4个，较去年同期增加了100%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了4.04亿元，同比增19.75%。

数据来源：企查查

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