甬矽电子获得发明专利授权：“半导体封装结构制作方法和半导体封装结构”

证券之星消息，根据企查查数据显示甬矽电子（688362）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体封装结构制作方法和半导体封装结构”，专利申请号为CN202011178889.4，授权日为2024年4月2日。

专利摘要：本申请实施例提供了一种半导体封装结构制作方法和半导体封装结构，涉及半导体封装技术领域。该方法包括：提供一基板，在基板的一侧设置管脚连接点；对基板上导通管脚连接点所在的一侧进行塑封，形成第一塑封体；在第一塑封体上导通管脚连接点对应的位置形成凹槽；在凹槽中设置导电柱，导电柱的一端与导通管脚连接点连接，另一端延伸出第一塑封体；将芯片设置在基板远离导通管脚连接点的一侧，并在芯片所在的一侧对基板进行塑封，形成第二塑封体；在第一塑封体、第二塑封体的表面和基板的侧面进行金属溅射形成金属屏蔽层，金属屏蔽层与导电柱远离导通管脚连接点的一端连接，通过上述设置，能够获取一种金属屏蔽性能稳定的半导体封装结构。

今年以来甬矽电子新获得专利授权11个，较去年同期增加了37.5%。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了6160.24万元，同比增2.31%。

数据来源：企查查

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