证券之星消息,根据企查查数据显示甬矽电子(688362)新获得一项实用新型专利授权,专利名为“电磁屏蔽结构”,专利申请号为CN202322109723.2,授权日为2024年4月2日。
专利摘要:本公开提供的一种电磁屏蔽结构,涉及半导体封装技术领域。该电磁屏蔽结构包括衬底、第一电子器件、屏蔽阻隔层、增强屏蔽层、塑封体和金属层,衬底上设有接地焊盘,第一电子器件设于衬底上,且与衬底电连接。第一电子器件位于屏蔽阻隔层围成的阻隔区域内;屏蔽阻隔层设有转角部;增强屏蔽层设于转角部,增强屏蔽层电连接于接地焊盘;塑封体设于衬底上,且包覆第一电子器件、屏蔽阻隔层和增强屏蔽层;金属层设于塑封体上,金属层分别与屏蔽阻隔层和增强屏蔽层电连接。该结构电磁屏蔽效果好,可有效防止杂波干扰。
今年以来甬矽电子新获得专利授权11个,较去年同期增加了37.5%。结合公司2023年中报财务数据,2023上半年公司在研发方面投入了6160.24万元,同比增2.31%。
数据来源:企查查
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