兆易创新获得发明专利授权：“一种3DTLC闪存存储器及其数据写入方法和装置”

证券之星消息，根据企查查数据显示兆易创新（603986）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种3DTLC闪存存储器及其数据写入方法和装置”，专利申请号为CN201910407393.0，授权日为2024年3月29日。

专利摘要：本发明实施例公开了一种3D TLC闪存存储器及其数据写入方法和装置。该3D TLC闪存存储器包括单层存储单元缓冲数据块和三层存储单元存储数据块，所述数据写入方法包括：接收数据写入命令；根据所述数据写入命令将对应的数据以单层式存储模式写入所述单层存储单元缓冲数据块中；在写入所述单层存储单元缓冲数据块中的数据量为预设数据量时，选取一所述三层存储单元存储数据块，并将所述预设数据量的数据搬移至所述三层存储单元存储数据块。本发明实施例解决了在掉电等异常情况下3D TLC闪存存储器中浮栅电荷量容易受到影响而导致数据稳定性降低的问题，改善了掉电等异常情况下的数据的稳定性。

今年以来兆易创新新获得专利授权37个，较去年同期增加了640%。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了4.77亿元，同比减4.07%。

数据来源：企查查

以上内容由证券之星根据公开信息整理，由算法生成，与本站立场无关。证券之星力求但不保证该信息（包括但不限于文字、视频、音频、数据及图表）全部或者部分内容的的准确性、完整性、有效性、及时性等，如存在问题请联系我们。本文为数据整理，不对您构成任何投资建议，投资有风险，请谨慎决策。