士兰微获得发明专利授权：“功率半导体器件元胞结构、功率半导体器件及其制造方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示士兰微（600460）新获得一项发明专利授权，专利名为“功率半导体器件元胞结构、功率半导体器件及其制造方法”，专利申请号为CN202111591940.9，授权日为2024年3月29日。

专利摘要：公开了一种功率半导体器件元胞结构，包括：半导体衬底；位于半导体衬底上的第一外延层和第二外延层；位于第一外延层中的第一半导体柱；位于第二外延层中的多个连接区；位于第二外延层表面两侧的体区，且与连接区的上表面接触；位于体区内的源区以及欧姆接触区；位于第二外延层上的栅极结构；连接区位于第一半导体柱上方两侧，沿第一方向横向延伸，并沿第二方向不连续分布，第二外延层围绕每个连接区以使每个连接区分离，第一方向与第二方向垂直，并且第一方向、第二方向均与半导体器件的纵向方向垂直。本申请在第一外延层中设置第一半导体柱，在第一半导体柱表面上方两侧设置连接区，有效地抑制了器件通流区域的双极退化问题，且提高栅氧可靠性。

今年以来士兰微新获得专利授权23个，与去年同期持平。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了3.63亿元，同比增15.47%。

数据来源：企查查

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