睿创微纳获得发明专利授权：“一种HEMT器件及其制备方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示睿创微纳（688002）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种HEMT器件及其制备方法”，专利申请号为CN202311695871.5，授权日为2024年3月26日。

专利摘要：本发明涉及半导体领域，为了解决HEMT器件因电荷聚集而出现损伤的问题，公开了一种HEMT器件及其制备方法，包括：衬底；设于所述衬底表面的外延结构层；设于所述外延结构层背离所述衬底表面的源极、漏极和栅极；所述源极与HEMT器件周围的划片道电连接。本发明的HEMT器件中包括衬底、外延结构层、源极、漏极和栅极，源极与HEMT器件周围的划片道电连接。在制备HEMT器件的过程中产生的静电，可以通过源极和划片道之间的电连接通道传输至整个晶圆的表面，使得静电均匀分布在整个晶圆上，避免在单个HEMT器件上出现静电电场过大的情况，从而避免HEMT器件因电荷聚集而出现损伤。

今年以来睿创微纳新获得专利授权7个，较去年同期增加了600%。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了3.04亿元，同比增29.65%。

数据来源：企查查

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