宏微科技获得发明专利授权：“一种电动汽车用IGBT或MOSFET版图结构”

证券之星消息，根据企查查数据显示宏微科技（688711）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种电动汽车用IGBT或MOSFET版图结构”，专利申请号为CN201711408786.0，授权日为2024年3月22日。

专利摘要：本发明属于电动汽车晶体管技术领域，尤其涉及一种电动汽车用IGBT或MOSFET版图结构。其包括IGBT或MOSFET版，所述IGBT或MOSFET版上间隔设置若干列沟槽，所述同一列沟槽重复断开，所述同一列沟槽断开间距0.6um，所述同一列沟槽断开间距的中间设置发射极接触孔，所述发射极接触孔与相邻所述沟槽之间的间距0.2um，相邻两列所述沟槽错位设置并横向连接，相邻两列所述沟槽之间的间距为0.2um。本发明通过沟槽以及发射极接触孔的版图设计使得元胞尺寸缩小，沟道密度增加，从而电流密度大大提高，IGBT或MOSFET的芯片尺寸可大大减小，从而成本降低，同时整个设计的余量也会更加充分。

今年以来宏微科技新获得专利授权3个，较去年同期增加了200%。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了5048.44万元，同比增117.24%。

数据来源：企查查

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