天通股份获得发明专利授权：“一种高磁导率低损耗铁基非晶复合磁粉心及制备方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示天通股份（600330）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种高磁导率低损耗铁基非晶复合磁粉心及制备方法”，专利申请号为CN202311840648.5，授权日为2024年3月12日。

专利摘要：本发明属于磁性材料技术领域，涉及一种高磁导率低损耗铁基非晶复合磁粉心及制备方法，铁基非晶复合磁粉心主要由FeSiBCCr非晶粉末与FeNi粉末组成，FeSiBCCr非晶粉末的粒径10?20μm，FeNi粉末的粒径为1?5μm，磁粉心制备方法为：将FeSiBCCr非晶粉末和通过磷酸钝化的FeNi粉末混合后，置于环氧树脂与有机溶剂的混合液体进行绝缘包覆处理，再进行压制成型、退火后，得到高磁导率低损耗铁基非晶复合磁粉心。该磁粉心在100kHz频率下的磁导率为45.3，在50mT，500kHz条件下的总损耗为630kW/m3，在100mT，50kHz条件下的损耗Pcv=203kW/m3。

今年以来天通股份新获得专利授权11个，较去年同期增加了83.33%。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了1.42亿元，同比减6.59%。

数据来源：企查查

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