新洁能获得发明专利授权：“一种晶圆级功率半导体器件及其制作方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示新洁能（605111）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种晶圆级功率半导体器件及其制作方法”，专利申请号为CN201710934007.4，授权日为2024年3月12日。

专利摘要：本发明公开了一种晶圆级功率半导体器件，包括有源区其中，有源区包括：第一导电类型衬底和第一导电类型衬底外延层，在第一导电类型衬底外延层上形成沟槽，沟槽内填充导电多晶硅，第二导电类型体区上形成第一导电类型源极，第一导电类型源极和第一导电类型衬底外延层的上表面形成绝缘介质层，绝缘介质层上形成源极引线孔、漏极引线孔和栅极引线孔，第一导电类型源极通过源极引线孔与源漏栅金属层连接，第一导电类型衬底外延层通过漏极引线孔与源漏栅金属层连接，且源极引线孔、漏极引线孔和栅极引线孔均为同一工艺步骤形成。本发明还公开了一种晶圆级功率半导体器件的制作方法。本发明提供的晶圆级功率半导体器件，减少工艺制造光刻层数。

今年以来新洁能新获得专利授权8个，较去年同期增加了700%。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了4691.76万元，同比增22.4%。

数据来源：企查查

以上内容由证券之星根据公开信息整理，由算法生成，与本站立场无关。证券之星力求但不保证该信息（包括但不限于文字、视频、音频、数据及图表）全部或者部分内容的的准确性、完整性、有效性、及时性等，如存在问题请联系我们。本文为数据整理，不对您构成任何投资建议，投资有风险，请谨慎决策。