晶合集成获得发明专利授权：“一种半导体结构及其制造方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体结构及其制造方法”，专利申请号为CN202311722569.4，授权日为2024年3月1日。

专利摘要：本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，所述半导体结构至少包括：衬底；栅极结构，设置在衬底上；侧墙结构，设置在衬底上，且侧墙结构连接于栅极结构的侧壁；电容氧化层，覆盖在部分栅极结构上、部分衬底上和侧墙结构上，且电容氧化层位于栅极结构的一侧；刻蚀阻挡层，覆盖部分栅极结构和部分衬底，且刻蚀阻挡层位于衬底和电容氧化层之间，以及栅极结构和电容氧化层之间；以及金属硅化物，设置于衬底的表层、栅极结构的表层和电容氧化层上。本发明提供了一种半导体结构及其制造方法，能够提升半导体设备的电学性能。

今年以来晶合集成新获得专利授权55个，较去年同期增加了111.54%。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了5.02亿元，同比增27.46%。

数据来源：企查查

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