芯联集成获得发明专利授权：“一种半导体器件及制造方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示芯联集成（688469）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体器件及制造方法”，专利申请号为CN202310136511.5，授权日为2024年2月27日。

专利摘要：一种半导体器件及制造方法，该器件包括：基底，包括第一衬底、第二衬底和设置于第一衬底和第二衬底之间的绝缘层，基底还包括至少两个器件区，至少两个器件区包括至少一个第一器件区和至少一个第二器件区，其中在第一器件区内，第一衬底和第二衬底被绝缘层隔离，在第二器件区内，绝缘层是不连续的，第一衬底的至少部分表面和第二衬底的至少部分表面相连接；至少一个隔离结构，设置于第一衬底中并位于相邻的器件区之间以隔离各个器件区；第一器件，设置于第一衬底且位于第一器件区；第二器件，设置于第二器件区，为垂直型器件。该半导体器件的散热性好，更适合应用于高功率领域。

今年以来芯联集成新获得专利授权9个，较去年同期减少了25%。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了6.5亿元，同比增70.44%。

数据来源：企查查

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