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芯联集成获得发明专利授权:“一种半导体器件及制造方法”

来源:证券之星企业动态 2024-02-28 02:50:37
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证券之星消息,根据企查查数据显示芯联集成(688469)新获得一项发明专利授权,专利名为“一种半导体器件及制造方法”,专利申请号为CN202310136511.5,授权日为2024年2月27日。

专利摘要:一种半导体器件及制造方法,该器件包括:基底,包括第一衬底、第二衬底和设置于第一衬底和第二衬底之间的绝缘层,基底还包括至少两个器件区,至少两个器件区包括至少一个第一器件区和至少一个第二器件区,其中在第一器件区内,第一衬底和第二衬底被绝缘层隔离,在第二器件区内,绝缘层是不连续的,第一衬底的至少部分表面和第二衬底的至少部分表面相连接;至少一个隔离结构,设置于第一衬底中并位于相邻的器件区之间以隔离各个器件区;第一器件,设置于第一衬底且位于第一器件区;第二器件,设置于第二器件区,为垂直型器件。该半导体器件的散热性好,更适合应用于高功率领域。

今年以来芯联集成新获得专利授权9个,较去年同期减少了25%。结合公司2023年中报财务数据,2023上半年公司在研发方面投入了6.5亿元,同比增70.44%。

数据来源:企查查

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