有研硅获得发明专利授权：“一种重掺砷低电阻率硅单晶微缺陷的检测方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示有研硅（688432）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种重掺砷低电阻率硅单晶微缺陷的检测方法”，专利申请号为CN202310616131.1，授权日为2024年2月13日。

专利摘要：本发明公开一种重掺砷低电阻率硅单晶微缺陷的检测方法，属于直拉硅单晶检测技术领域。该检测方法包括：原生重掺砷硅单晶拉制完成后截取一定厚度的样品；对样品进行表面研磨、清洗处理获得平整和洁净的表面；对清洗后的样品进行化学抛光处理，去除表面损伤；对样品进行分段式加强热氧化获得微缺陷的放大缀饰缺陷，所述热氧化包括三个阶段：第一阶段加热温度为950~1100℃，时间为30~300min；第二阶段加热温度为1100~1200℃，时间为30~300min；第三阶段加热温度为950~1100℃，时间为30~300min；使用XRT对样品检测；对检测结果进行判定，确定缺陷类型和区域。本发明的检测方法可以快速实现重掺砷低电阻率硅单晶微缺陷的检测，操作简便易实现，缺陷检出率高，且具有检测结果直观化和检测无铬化的特点。

今年以来有研硅新获得专利授权2个，较去年同期增加了100%。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了4347.69万元，同比增17.39%。

数据来源：企查查

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