新洁能获得发明专利授权：“耗尽型MOSFET器件及其制造方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示新洁能（605111）新获得一项发明专利授权，专利名为“耗尽型MOSFET器件及其制造方法”，专利申请号为CN201811104246.8，授权日为2024年2月9日。

专利摘要：本发明提供一种耗尽型MOSFET器件，包括：第一导电类型重掺杂衬底，以及在第一导电类型重掺杂衬底上形成的第一导电类型轻掺杂外延层，衬底和外延层构成形成半导体基板；半导体基板上包括有源区、栅极引出区和终端保护区；有源区位于半导体基板中央区域，栅极引出区位于有源区外侧，终端保护区位于有源区和栅极引出区外圈；在有源区内，第一导电类型轻掺杂外延层上部有第二导电类型轻掺杂体区和沟槽状的栅电极，栅电极两侧有第一导电类型耗尽层，栅电极顶部侧面设有第一导电类型源极；栅电极与第一导电类型源极、第一导电类型耗尽层、第二导电类型轻掺杂体)、外延层通过栅氧层电绝缘；本发明工艺简化，降低了成本。

今年以来新洁能新获得专利授权2个。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了4691.76万元，同比增22.4%。

数据来源：企查查

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