捷捷微电获得发明专利授权：“一种低导通电阻的沟槽MOSFET器件及其制造方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示捷捷微电（300623）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种低导通电阻的沟槽MOSFET器件及其制造方法”，专利申请号为CN201810132017.0，授权日为2024年2月2日。

专利摘要：本发明属于半导体器件的制造技术领域，涉及一种低导通电阻的沟槽MOSFET器件，器件元胞单元包括半导体基板，半导体基板包括N型衬底及N型漂移区；在N型漂移区内设有P型体区及位于P型体区间的沟槽，其特征在于，P型体区上方设有N型源区和P型阱区，沟槽内设有栅氧化层、绝缘介质层及栅极多晶硅，N型源区与绝缘介质层左右邻接，在绝缘介质层、N型源区和P型阱区上方设有第一电极,N型衬底下方设有第二电极；本发明通过刻蚀浅接触孔，在器件相邻沟槽之间的硅表面区形成金属分别和N型源区、P型阱区的欧姆接触，省去了相邻两个沟槽之间光刻对位刻蚀的接触孔，降低了器件的最小元胞尺寸，从而降低了单位面积的导通电阻，提高了器件的性价比。

今年以来捷捷微电新获得专利授权5个，较去年同期增加了400%。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了1.22亿元，同比增48.2%。

数据来源：企查查

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