甬矽电子获得发明专利授权：“芯片叠层封装结构和芯片叠层封装方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示甬矽电子（688362）新获得一项发明专利授权，专利名为“芯片叠层封装结构和芯片叠层封装方法”，专利申请号为CN202110819499.9，授权日为2024年2月2日。

专利摘要：本发明的实施例提供了一种芯片叠层封装结构和芯片叠层封装方法，涉及半导体封装技术领域，芯片叠层封装结构包括基底电路板、第一芯片、保护覆胶层、第二芯片、线路连接层、第三芯片和包封层，通过在基底电路板上贴装第一芯片，再在包覆在第一芯片外的保护覆胶层上设置第二芯片，并在包覆在保护覆胶层外的线路连接层上设置第三芯片，且在线路连接层上还设置有第一电性柱，第三芯片、第二芯片以及线路连接层通过第一电性柱电连接为一体，同时完成了第一芯片、第二芯片和第三芯片的堆叠，这种堆叠结构避免了芯片之间的相互干涉，且无需打线，降低了封装难度，且提升了存储芯片数量，提高了产品性能。

今年以来甬矽电子新获得专利授权6个，较去年同期增加了200%。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了6160.24万元，同比增2.31%。

数据来源：企查查

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