捷捷微电获得发明专利授权：“高正向阻断电压门极灵敏触发单向可控硅芯片和制造方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示捷捷微电（300623）新获得一项发明专利授权，专利名为“高正向阻断电压门极灵敏触发单向可控硅芯片和制造方法”，专利申请号为CN201910360828.0，授权日为2024年2月2日。

专利摘要：本发明公开了一种高正向阻断电压门极灵敏触发单向可控硅芯片，包括阳极电极A、背面P型短基区、P型对通隔离环、门极电极G、N?型长基区、正面P型短基区、N+型发射区、阴极电极K、隔离钝化槽和设置在正面的氧化膜。制造方法：生长氧化层、光刻对通隔离环、离子注入铝、对通隔离环扩散、双面P型短基区扩散、正面光刻发射区、N+发射区磷扩散、光刻隔离钝化槽及腐蚀、Sipos+Gpp钝化保护、光刻引线、双面蒸发电极、双面光刻反刻、真空合金、芯片测试、划片分离。本发明满足VDRM＞2200V，实现极高的正向阻断电压。

今年以来捷捷微电新获得专利授权5个，较去年同期增加了400%。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了1.22亿元，同比增48.2%。

数据来源：企查查

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