捷捷微电获得发明专利授权：“一种MOS型超势垒整流器及其制造方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示捷捷微电（300623）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种MOS型超势垒整流器及其制造方法”，专利申请号为CN201810072354.5，授权日为2024年2月2日。

专利摘要：本发明公开了一种MOS型超势垒整流器，包括半导体基板，半导体基板上部为N型外延层为第一主面，半导体基板下部为N+型衬底为第二主面，第一主面上设置有沟槽，第一主面上设置有栅氧化层，其上有多晶硅，间隔的沟槽两侧的外延层内自上而下依次为N+区和P型区。制造方法：1）提供衬底，外延生长一层外延层，热生长栅氧化层，淀积多晶硅和氧化层，2）光刻3）刻蚀4）去除光刻胶，5）注入N型杂质砷或磷，6）第一次注入P型杂质硼并热退火，7）刻蚀，8）第二次注入P型杂质硼并热退火，9）二次刻蚀，10）第三次注入P型杂质硼并热退火，11）去除氧化层，12）沉淀第一电极，13）沉淀第二电极。本发明提高了产品性能。

今年以来捷捷微电新获得专利授权2个，较去年同期增加了100%。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了1.22亿元，同比增48.2%。

数据来源：企查查

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