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甬矽电子获得发明专利授权:“硅穿孔结构的制备方法和硅穿孔结构”

来源:证券之星企业动态 2024-01-31 02:05:35
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证券之星消息,根据企查查数据显示甬矽电子(688362)新获得一项发明专利授权,专利名为“硅穿孔结构的制备方法和硅穿孔结构”,专利申请号为CN202311394918.4,授权日为2024年1月30日。

专利摘要:本发明提供了一种硅穿孔结构的制备方法和硅穿孔结构,涉及硅穿孔技术领域,首先在衬底的正面刻蚀形成容置凹槽,然后在容置凹槽的周围和内部沉积形成第一保护层,第一保护层至少部分覆盖容置凹槽的底壁,并形成第二弧形结构。然后在第一保护层的表面依次形成第一金属层和第二金属层,再对衬底的背面进行研磨或刻蚀至容置凹槽,最后在衬底的背面形成焊球。相较于现有技术,在研磨过程中,第二弧形结构首先被研磨,可以有效减少研磨时的底部的第二金属层周围的应力,从而避免传统技术中金属柱与内壁应力分层的问题。或者直接采用刻蚀手段来避免研磨,同样能够避免传统技术中金属柱与内壁应力分层的问题,保证了第二金属层的传输性能。

今年以来甬矽电子新获得专利授权5个,较去年同期增加了150%。结合公司2023年中报财务数据,2023上半年公司在研发方面投入了6160.24万元,同比增2.31%。

数据来源:企查查

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