甬矽电子获得发明专利授权：“硅穿孔结构的制备方法和硅穿孔结构”

证券之星消息，根据企查查数据显示甬矽电子（688362）新获得一项发明专利授权，专利名为“硅穿孔结构的制备方法和硅穿孔结构”，专利申请号为CN202311394918.4，授权日为2024年1月30日。

专利摘要：本发明提供了一种硅穿孔结构的制备方法和硅穿孔结构，涉及硅穿孔技术领域，首先在衬底的正面刻蚀形成容置凹槽，然后在容置凹槽的周围和内部沉积形成第一保护层，第一保护层至少部分覆盖容置凹槽的底壁，并形成第二弧形结构。然后在第一保护层的表面依次形成第一金属层和第二金属层，再对衬底的背面进行研磨或刻蚀至容置凹槽，最后在衬底的背面形成焊球。相较于现有技术，在研磨过程中，第二弧形结构首先被研磨，可以有效减少研磨时的底部的第二金属层周围的应力，从而避免传统技术中金属柱与内壁应力分层的问题。或者直接采用刻蚀手段来避免研磨，同样能够避免传统技术中金属柱与内壁应力分层的问题，保证了第二金属层的传输性能。

今年以来甬矽电子新获得专利授权5个，较去年同期增加了150%。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了6160.24万元，同比增2.31%。

数据来源：企查查

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