天通股份获得发明专利授权：“一种大尺寸超薄钽酸锂晶片键合方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示天通股份（600330）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种大尺寸超薄钽酸锂晶片键合方法”，专利申请号为CN202311339715.5，授权日为2024年1月30日。

专利摘要：本发明涉及半导体制造工艺领域，具体涉及一种大尺寸超薄钽酸锂晶片键合方法，包括如下步骤：将待键合晶片抛光后在酸液中浸泡；将待键合晶片清洗后甩干；使用等离子体对晶片表面进行活化处理；使用碱性溶液冲洗晶片并甩干；将待键合晶片对准并加压；进行阶段式升降温退火，最终获得键合强度高且键合质量好的键合片。本发明通过工艺改进，可在低温环境下完成钽酸锂晶片与其他材料晶片的键合，并有效解决了大尺寸超薄钽酸锂晶片键合易翘曲碎片、键合强度低、键合质量差的问题，保证了键合的可靠性和稳定性。

今年以来天通股份新获得专利授权5个，较去年同期增加了150%。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了1.42亿元，同比减6.59%。

数据来源：企查查

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