芯动联科获得发明专利授权：“一种具有应力缓冲结构的MEMS芯片及其制造方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示芯动联科（688582）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种具有应力缓冲结构的MEMS芯片及其制造方法”，专利申请号为CN201810966348.4，授权日为2024年1月26日。

专利摘要：本发明公开了一种具有应力缓冲结构的MEMS芯片及其制造方法，具体是通过半导体加工工艺将圆片级封装的MEMS圆片的底板SOI圆片的底氧化层形成底氧化层图形，露出部分底硅层表面；然后以底氧化层图形为掩膜，对MEMS圆片进行深硅蚀刻，露出埋氧层表面，底硅层被蚀刻成应力缓冲结构，形成划片区、外框、应力缓冲弹簧、空窗区、连接区以及释放孔；再将MEMS圆片浸入HF或缓冲HF溶液中，形成中心埋氧图形，形成具有应力缓冲结构的MEMS圆片；最后切割圆片完成具有应力缓冲结构的MEMS芯片的制造。本发明制造的具有应力缓冲结构的MEMS芯片的应力缓冲结构通过中心埋氧连接在MEMS芯片的底部，达到降低封装应力的目的，其优点在于工艺简单、芯片面积小、封装成品率高、成本低。

今年以来芯动联科新获得专利授权2个。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了3319.07万元，同比增29.32%。

数据来源：企查查

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