天岳先进获得发明专利授权：“一种高纯碳化硅晶体电阻率的检测方法和装置”

证券之星消息，根据企查查数据显示天岳先进（688234）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种高纯碳化硅晶体电阻率的检测方法和装置”，专利申请号为CN202010777544.4，授权日为2024年1月26日。

专利摘要：本申请提供了一种高纯碳化硅晶体电阻率的检测方法和装置，所述检测方法包括以下步骤：用光源照射碳化硅晶体，检测碳化硅晶体的透光波长，比较所述透光波长与标准颜色波长范围的大小，根据比较结果判断电阻率是否合格；所述标准颜色波长范围是电阻率合格的标准碳化硅晶体用同一光源照射后具有的透光颜色波长的数值范围。本申请提供的碳化硅晶体的电阻率检测方法和装置，具有很高的精确性，并且步骤简单，可操作性强，对测试环境要求低，适用生产现场，能够减轻精密检测步骤的工作量和成本，提高生产效率，特别是为采用物理气相传输法制备的高纯碳化硅晶体的电阻率初步评价提供参考依据。

今年以来天岳先进新获得专利授权6个。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了8980.84万元，同比增69.02%。

数据来源：企查查

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