久之洋获得发明专利授权：“大尺寸红外光学元件低应力保护增透薄膜的制备方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示久之洋（300516）新获得一项发明专利授权，专利名为“大尺寸红外光学元件低应力保护增透薄膜的制备方法”，专利申请号为CN202210417379.0，授权日为2024年1月23日。

专利摘要：本发明公开了一种大尺寸红外光学元件低应力保护增透膜系的制备方法，包括以下步骤：1)大尺寸红外光学元件无损清洗；2)采用离子辅助电子束蒸发工艺在清洗后的大尺寸红外光学元件表面依次镀制光学过渡层及应力匹配层，形成张应力层，张应力层厚度不低于400nm，应力值不低于200MPa；3)通过RF?PECVD法在步骤2)所得张应力层上制备类金刚石薄膜作为压应力层，厚度不高于700nm，压应力不高于350MPa，即得大尺寸红外光学元件低应力薄膜。所得薄膜应力低，满足大尺寸红外光学元件低应力保护增透膜系的工艺需求，解决大尺寸红外光学元件成膜应力高的膜层脱落问题，有效提升了大尺寸红外光学元件的恶劣环境下的适应性及可靠性。

今年以来久之洋新获得专利授权2个，较去年同期减少了33.33%。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了3831.47万元，同比减4.95%。

数据来源：企查查

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