天通股份获得发明专利授权：“一种键合晶片的单面减薄方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示天通股份（600330）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种键合晶片的单面减薄方法”，专利申请号为CN202311467975.0，授权日为2024年1月12日。

专利摘要：本发明涉及半导体制造工艺领域，具体涉及一种键合晶片的单面减薄方法，包括下列步骤：a)将晶片与载片进行键合后形成键合晶片，对键合晶片中的晶片层进行单面减薄，减薄后进行清洗；b)预烘后，在晶片层的减薄面上涂覆正性光刻胶，之后经过前烘、对准、曝光、后烘、显影，通过显影去除键合晶片中间区域光刻胶，保留晶片外侧圆周上的光刻胶；c)对键合晶片进行化学腐蚀后，进行超声波清洗；d)采用激光裂片去除光刻胶涂覆区域的外环键合晶片部分，再进行超声波振洗，将键合晶片中部区域与光刻胶涂覆区域的外环键合晶片部分振洗至分离。本发明既能满足键合晶片的超薄化需求，又能避免键合晶片减薄后表面损伤和脆性断裂、键和结构破坏的问题。

今年以来天通股份新获得专利授权2个，与去年同期持平。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了1.42亿元，同比减6.59%。

数据来源：企查查

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