天通股份获得发明专利授权：“一种钽酸锂键合晶片的减薄方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示天通股份（600330）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种钽酸锂键合晶片的减薄方法”，专利申请号为CN202311330667.3，授权日为2024年1月5日。

专利摘要：一种钽酸锂键合晶片的减薄方法，包括如下步骤：将钽酸锂晶片与其它晶片键合形成键合晶片；使用减薄机对键合晶片进行粗减薄加工；使用干法刻蚀去除键合晶片表面损伤层及残余应力；使用减薄机对键合晶片进行精减薄加工；使用干法刻蚀去除键合晶片表面损伤层及残余应力；通过飞秒激光扫描键合晶片进行最终减薄。本发明通过设置逐级减薄配合干法刻蚀的方法可以更加精确地控制晶片的减薄厚度和过程，避免加工中因应力集中或应力过大导致晶片边缘翘曲和碎裂，提高加工效率，保证加工质量，降低加工成本。

今年以来天通股份新获得专利授权1个。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了1.42亿元，同比减6.59%。

数据来源：企查查

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