芯联集成获得发明专利授权：“半导体器件及其形成方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示芯联集成（688469）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体器件及其形成方法”，专利申请号为CN202010084870.7，授权日为2024年1月5日。

专利摘要：本发明提供了一种半导体器件及其形成方法。在形成图形化的光阻层之前，还在电极材料层上形成掩模材料层，并且在对掩模材料层执行图形化工艺时，仅将光阻层中的电极图形复制至掩模材料层的上部分中，从而在去除光阻层的过程中，可避免用于去除光阻层的剥离液侵蚀电极材料层。以及，在图形化的掩模层的掩模下，结合裁剪工艺进一步图形化电极材料层，以构成电极层，进而可以更为精确的控制电极材料层的消耗量，有利于保障所形成的电极层的性能。

今年以来芯联集成新获得专利授权2个，与去年同期持平。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了6.5亿元，同比增70.44%。

数据来源：企查查

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