五方光电获得发明专利授权：“基于硼掺杂氢化硅的低角度偏移滤光片及其制备方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示五方光电（002962）新获得一项发明专利授权，专利名为“基于硼掺杂氢化硅的低角度偏移滤光片及其制备方法”，专利申请号为CN201810205339.3，授权日为2024年1月2日。

专利摘要：本发明基于硼掺杂氢化硅的低角度偏移滤光片及其制备方法，滤光片包括基板、第一镀膜层和第二镀膜层，基板设置于第一镀膜层和第二镀膜层之间，第一镀膜层由内而外依次由硼掺杂氢化硅层与二氧化硅层交替沉积，第一镀膜层的最内层为硼掺杂氢化硅层，最外层为二氧化硅层，第二镀膜层由内而外依次由硼掺杂氢化硅层与二氧化硅层交替沉积，最内层为硼掺杂氢化硅层，最外层为二氧化硅层。本发明提供的基于硼掺杂氢化硅的低角度偏移滤光片及其制备方法，在大入射角下，滤光片的波长漂移量降低，其中心波长角度偏移降至12nm内，同样的光谱带宽下，可实现大的视场，同样的视场角下，具有更小的通带带宽，提高近红外成像系统的信噪比，降低制造成本。

今年以来五方光电新获得专利授权1个。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了2070.6万元，同比增17.85%。

数据来源：企查查

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