长光华芯获得发明专利授权：“一种边发射半导体发光结构及其制备方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示长光华芯（688048）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种边发射半导体发光结构及其制备方法”，专利申请号为CN202310884837.6，授权日为2023年12月19日。

专利摘要：本发明揭示了一种边发射半导体发光结构及其制备方法，边发射半导体发光结构包括：位于半导体衬底层上依次层叠的下限制层、有源层和上限制层；边发射半导体发光结构具有相对设置的第一侧壁和第二侧壁，第一侧壁和第二侧壁在边发射半导体发光结构的慢轴方向排布；边发射半导体发光结构具有位于第一侧壁和第二侧壁之间的电流注入区，电流注入区与第一侧壁和第二侧壁均间隔设置；位于电流注入区在慢轴方向上至少一侧的特征槽，特征槽至少位于上限制层中，特征槽具有朝向电流注入区的特征侧壁；特征侧壁的表面设置有若干朝向所述电流注入区的凸起。边发射半导体发光结构能降低功率抖动。

今年以来长光华芯新获得专利授权42个，较去年同期减少了20.75%。结合公司2023年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了5477.17万元，同比增1.26%。

数据来源：企查查

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