长光华芯获得发明专利授权：“一种半导体激光器接触电极及其制备方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示长光华芯（688048）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体激光器接触电极及其制备方法”，专利申请号为CN202311176626.3，授权日为2023年12月19日。

专利摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种半导体激光器接触电极及其制备方法，其中，半导体激光器接触电极包括：衬底层；接触层，位于衬底层的一侧表面；扩散阻挡层，位于接触层背离衬底层的一侧表面；上盖层，位于扩散阻挡层背离衬底层的一侧表面；其中，扩散阻挡层的材料包括由粘结金属和第一元素形成的化合物，自接触层至上盖层的方向上，扩散阻挡层中的第一元素的组分含量逐渐增加；或者，扩散阻挡层的材料包括由粘结金属和第二元素形成的固溶体，自接触层至上盖层的方向上，扩散阻挡层中的第二元素的组分含量逐渐增加。由于扩散阻挡层中没有形成异质界面，因此本发明提供的半导体激光器接触电极在满足耐高温性能的同时，还具有低的电阻。

今年以来长光华芯新获得专利授权42个，较去年同期减少了20.75%。结合公司2023年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了5477.17万元，同比增1.26%。

数据来源：企查查

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