长光华芯获得发明专利授权：“一种刻蚀方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示长光华芯（688048）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种刻蚀方法”，专利申请号为CN202311197945.2，授权日为2023年12月19日。

专利摘要：本发明揭示了一种刻蚀方法，包括：步骤S1：提供基底结构，所述基底结构的材料为Ⅲ?Ⅴ族化合物半导体材料；步骤S2：在所述基底结构上形成初始光刻胶层；步骤S3：对所述初始光刻胶层图形化以形成光刻胶层，所述光刻胶层包括顶部区域；步骤S4：采用碳氟基气体对光刻胶层的顶部区域进行等离子处理，以使光刻胶层的顶部区域的硬度大于所述顶部区域下方的光刻胶层的硬度；步骤S5：等离子处理之后，以光刻胶层为掩膜刻蚀基底结构；步骤S6：重复步骤S4和步骤S5直至在基底结构中形成目标凹槽。所述刻蚀方法具有高的刻蚀选择比。

今年以来长光华芯新获得专利授权42个，较去年同期减少了20.75%。结合公司2023年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了5477.17万元，同比增1.26%。

数据来源：企查查

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