晶合集成获得发明专利授权：“一种半导体结构及其制备方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体结构及其制备方法”，专利申请号为CN202311107757.6，授权日为2023年11月28日。

专利摘要：本发明提供一种半导体结构及其制备方法，包括：衬底，所述衬底上形成多个有源区结构；栅极结构，形成于所述有源区结构上；以及电极结构，形成于所述栅极结构与所述有源区结构上；其中，所述栅极结构包括第一栅极与第二栅极，所述第一栅极的多晶硅层上形成金属硅化层，所述第二栅极的多晶硅层上形成金属硅化层与牺牲层，所述牺牲层位于远离所述第一栅极的所述第二栅极的一侧上。通过本发明公开的一种半导体结构及其制备方法，能够对栅极的侧墙结构以及栅氧化层的完整性进行防护。

今年以来晶合集成新获得专利授权229个，较去年同期增加了90.83%。结合公司2023年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了5.02亿元，同比增27.46%。

数据来源：企查查

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