天通股份获得发明专利授权：“一种钽酸锂晶体的生长方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示天通股份（600330）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种钽酸锂晶体的生长方法”，专利申请号为CN202311176957.7，授权日为2023年11月28日。

专利摘要：本发明涉及压电晶体技术领域，尤其是一种钽酸锂晶体的生长方法，包括以下步骤：a）原料填加：将需要填加的回用晶体原料进行粉碎、打磨处理后，覆盖在已填好的多晶粉上，最后再使用多晶粉对晶体碎块间隙进行填充；b）化料控温：将原料升温后，观察温度变化曲线，调控温度至第一个温度曲线波峰值高5?10℃，稳定保温1?2h后，完成原料熔融；c）晶体生长：下降籽晶与熔融液接触，籽晶缩颈后保温，进入晶体自动生长，观察晶体棱线变化，对分叉和较细的棱线进行回融重塑处理；d）晶体收尾：当晶体重量的增加量呈下降趋势，且晶体重量的增加速度低于10g/min后进行切离收尾，按30?50mm/min的速率脱离液面。

今年以来天通股份新获得专利授权29个，较去年同期增加了70.59%。结合公司2023年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了1.42亿元，同比减6.59%。

数据来源：企查查

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