晶合集成获得发明专利授权：“一种半导体器件及其制造方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体器件及其制造方法”，专利申请号为CN202311056577.X，授权日为2023年11月28日。

专利摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件至少包括：衬底，衬底包括多个第一有源区和多个第二有源区，且第一有源区和第二有源区的掺杂类型不同；多晶硅层，设置在第一有源区上和第二有源区上；侧墙结构，设置在衬底上，且侧墙结构贴覆在多晶硅层的侧壁上，其中，位于第一有源区上的侧墙结构具有第一厚度，位于第二有源区上的侧墙结构具有第二厚度，且第一厚度小于第二厚度；源漏掺杂区，设置在第一有源区中，且源漏掺杂区分布在多晶硅层的两侧；以及张应力膜，覆盖在衬底上、多晶硅层上和侧墙结构上。本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，能够提升半导体器件的整体效能。

今年以来晶合集成新获得专利授权229个，较去年同期增加了90.83%。结合公司2023年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了5.02亿元，同比增27.46%。

数据来源：企查查

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