新洁能获得发明专利授权：“一种屏蔽栅功率MOSFET器件及其制造方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示新洁能（605111）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种屏蔽栅功率MOSFET器件及其制造方法”，专利申请号为CN201810909142.8，授权日为2023年12月5日。

专利摘要：本发明属于半导体器件的制造技术领域，涉及一种屏蔽栅功率MOSFET器件，包括有源区，有源区内包括元胞单元和虚拟元胞单元，虚拟元胞单元在第二导电类型阱区间设有第一类型沟槽，在第一类型沟槽内填充有虚拟屏蔽栅多晶硅、厚氧化层、位于虚拟屏蔽栅多晶硅上部两侧的虚拟栅极多晶硅及虚拟栅氧化层；在第一类型沟槽上依次覆盖有绝缘介质层、源极金属，源极金属通过绝缘介质层内的通孔分别与虚拟屏蔽栅多晶硅、虚拟栅极多晶硅电连接；本发明通过在有源区引入虚拟栅元胞结构，减小了栅极和源极的交叠面积，使得输入电容Ciss和米勒电容Crss降低，进而大幅度降低开关损耗，工艺简单，成本低，市场竞争力更强。

今年以来新洁能新获得专利授权16个，较去年同期减少了52.94%。结合公司2023年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了4691.76万元，同比增22.4%。

数据来源：企查查

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