斯达半导新获得实用新型专利授权：“一种IGBT器件”

证券之星消息，根据企查查数据显示斯达半导（603290）新获得一项实用新型专利授权，专利名为“一种IGBT器件”，专利申请号为CN202223540874.5，授权日为2023年12月5日。

专利摘要：本实用新型提供一种IGBT器件，涉及半导体器件技术领域，包括：衬底，衬底上设有N型漂移区，N型漂移区的上表面形成有N型电荷贮存层，N型漂移区的下表面覆盖有集电极；P型沟道区，P型沟道区形成于N型电荷贮存区的上表面，P型沟道区的上表面开设有凹槽，凹槽内形成有浅沟槽隔离区；顶部器件，顶部器件通过连接结构层与浅沟槽隔离区连接。有益效果是顶部器件可以通过对应的浅沟槽隔离区和连接结构层内置于IGBT器件中；既兼容顶部器件为温度传感器的情况，达到更及时准确采集到IGBT器件内部的温度的目的，也兼容顶部器件为门极电阻的情况，达到在功率模块有多个IGBT器件并联时保证合理的均流的目的。

今年以来斯达半导新获得专利授权18个，较去年同期增加了38.46%。结合公司2023年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了1.13亿元，同比增44.45%。

数据来源：企查查

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