甬矽电子新获得发明专利授权：“扇出型封装结构和扇出型封装结构制作方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示甬矽电子（688362）新获得一项发明专利授权，专利名为“扇出型封装结构和扇出型封装结构制作方法”，专利申请号为CN202311119668.3，授权日为2023年12月5日。

专利摘要：本公开提供的一种扇出型封装结构和扇出型封装结构制作方法，涉及半导体封装技术领域。该扇出型封装结构包括电子元件、塑封体、电感和布线层，电子元件设有焊盘；塑封体包覆电子元件，焊盘露出塑封体。电感和电子元件间隔设置，且沿塑封体的高度方向布设；电感设有正极和负极；布线层和焊盘电连接；正极和负极分别与布线层电连接。该封装结构中，电感采用垂直设置，且与电子元件间隔开，增加了电感的布设空间，有利于提升散热效果。

今年以来甬矽电子新获得专利授权49个，较去年同期减少了16.95%。结合公司2023年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了6160.24万元，同比增2.31%。

数据来源：企查查

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