晶合集成新获得发明专利授权：“一种半导体存储器件及其制作方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体存储器件及其制作方法”，专利申请号为CN202311049900.0，授权日为2023年11月28日。

专利摘要：本发明公开了一种半导体存储器件及其制作方法，属于半导体技术领域，所述半导体存储器件包括：衬底，所述衬底包括第一半导体层、埋氧层和第二半导体层，所述第一半导体层设置在所述埋氧层上，所述埋氧层设置在所述第二半导体层上；栅极结构，设置在所述第一半导体层上；源掺杂区，设置在所述栅极一侧的所述衬底上；漏掺杂区，设置在所述栅极另一侧的所述衬底上；以及空隙区，设置在所述漏掺杂区下方的所述第二半导体层中，并朝所述栅极结构下方延伸，所述空隙区与所述栅极结构交叠预设长度。通过本发明提供的一种半导体存储器件及其制作方法，提高半导体存储器件的性能。

今年以来晶合集成新获得专利授权222个，较去年同期增加了85%。结合公司2023年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了5.02亿元，同比增27.46%。

数据来源：企查查

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