协昌科技新获得发明专利授权：“一种半导体功率器件及其制备方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示协昌科技（301418）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体功率器件及其制备方法”，专利申请号为CN201910379243.3，授权日为2023年12月5日。

专利摘要：本发明提出一种半导体功率器件及其制备方法，其在半导体基板的第一导电类型外延层上表面开设三个沟槽，第一沟槽和第二沟槽之间、第二沟槽相互之间、第二沟槽和第三沟槽之间的第一表面上设置有硬掩膜层；三个沟槽内壁及其外围均设有栅氧化层，三个沟槽内均填满导电多晶硅，三个沟槽及其外围、硬掩膜层上方均覆盖有绝缘介质层；三个沟槽的外围均从上至下设有第一导电类型注入层和第二导电类型注入层；第一沟槽及其外围上方的绝缘介质层上覆盖有金属层，第三沟槽及其外围上方的绝缘介质层上覆盖有第二金属层。本发明在保证器件的性能和可靠性的基础上，光罩层数减少至3层，有效降低制造成本。

今年以来协昌科技新获得专利授权34个，较去年同期减少了27.66%。结合公司2023年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了903.7万元，同比增36.71%。

数据来源：企查查

以上内容由证券之星根据公开信息整理，由算法生成，与本站立场无关。证券之星力求但不保证该信息（包括但不限于文字、视频、音频、数据及图表）全部或者部分内容的的准确性、完整性、有效性、及时性等，如存在问题请联系我们。本文为数据整理，不对您构成任何投资建议，投资有风险，请谨慎决策。