甬矽电子新获得实用新型专利授权：“散热结构和封装结构”_股票频道

证券之星消息，根据企查查数据显示甬矽电子（688362）新获得一项实用新型专利授权，专利名为“散热结构和封装结构”，专利申请号为CN202321402738.1，授权日为2023年11月28日。

专利摘要：本公开提供的一种散热结构和封装结构，涉及半导体技术领域。该散热结构包括底壁、侧壁和凸块，侧壁凸设于底壁，侧壁和底壁形成容置槽，容置槽内用于贴装芯片；凸块设于底壁远离容置槽的一侧，可以起到良好的散热作用。

今年以来甬矽电子新获得专利授权49个，较去年同期减少了16.95%。结合公司2023年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了6160.24万元，同比增2.31%。

数据来源：企查查

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