证券之星消息,根据企查查数据显示福晶科技(002222)新获得一项发明专利授权,专利名为“一种低温相BBO晶体生长装置及生长方法”,专利申请号为CN202211169844.X,授权日为2023年11月14日。
专利摘要:一种低温相BBO晶体生长装置及生长方法,该生长方法利用圆锥型铂金盖、铂金坩埚、倒圆锥铂金套筒和铂金线圈组合得到低温相BBO晶体生长装置,克服常规低温相BBO晶体生长全过程温场不能调节的缺点,生长初期利用圆锥型铂金盖和倒圆锥铂金套筒的热辐射,形成特殊温场,提高温度梯度,减少包络形成,同时利用套筒的束缚生长,保证晶体向下生长,得到厚度30mm的毛坯,可切晶体器件长度大于30mm;晶体生长后期通过线圈通气,保证晶体生长后期熔体加快对流,增加梯度,减少杂质的进入,保证晶体高质量生长,得到中间区域包络大大减少,晶体利用率提高到80%。
今年以来福晶科技新获得专利授权9个,较去年同期减少了55%。结合公司2023年中报财务数据,今年上半年公司在研发方面投入了3430.33万元,同比增10.63%。
数据来源:企查查
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