福晶科技新获得发明专利授权：“一种低温相BBO晶体生长装置及生长方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示福晶科技（002222）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种低温相BBO晶体生长装置及生长方法”，专利申请号为CN202211169844.X，授权日为2023年11月14日。

专利摘要：一种低温相BBO晶体生长装置及生长方法，该生长方法利用圆锥型铂金盖、铂金坩埚、倒圆锥铂金套筒和铂金线圈组合得到低温相BBO晶体生长装置，克服常规低温相BBO晶体生长全过程温场不能调节的缺点，生长初期利用圆锥型铂金盖和倒圆锥铂金套筒的热辐射，形成特殊温场，提高温度梯度，减少包络形成，同时利用套筒的束缚生长，保证晶体向下生长，得到厚度30mm的毛坯，可切晶体器件长度大于30mm；晶体生长后期通过线圈通气，保证晶体生长后期熔体加快对流，增加梯度，减少杂质的进入，保证晶体高质量生长，得到中间区域包络大大减少，晶体利用率提高到80%。

今年以来福晶科技新获得专利授权9个，较去年同期减少了55%。结合公司2023年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了3430.33万元，同比增10.63%。

数据来源：企查查

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