福晶科技新获得发明专利授权：“一种提高KGW晶体质量和利用率的晶体制备方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示福晶科技（002222）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种提高KGW晶体质量和利用率的晶体制备方法”，专利申请号为CN202210595917.5，授权日为2023年11月14日。

专利摘要：一种提高KGW晶体质量和利用率的晶体制备方法，采用缩口铂金坩埚为生长装置，下部分为圆筒形、上部分呈圆台形缩口的轴对称结构，缩口部分的高度占坩埚整体高度的1/4~1/8，锥状倾斜角度为10~30°，在晶体生长时，熔体生长液面在缩口部分与圆筒形部分的过渡部位，铂籽晶杆释放至熔体生长液面。本发明加速铂金坩埚壁附近熔体的流动，不仅保证生长熔体的均匀性，还对铂金坩埚中轴形成特殊的温场，抑制了KGW晶体b轴横向快速生长的性能，生长出来的晶体几乎接近长方体，提高了KGW晶体毛坯的利用率；铂金坩埚的缩口不影响下籽晶以及观察晶体生长情况，还对生长熔液产生的热流起了瓶颈性的向上冲力，避免外因影响晶体质量，再次提高KGW晶体利用率。

今年以来福晶科技新获得专利授权9个，较去年同期减少了55%。结合公司2023年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了3430.33万元，同比增10.63%。

数据来源：企查查

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