证券之星消息,根据企查查数据显示福晶科技(002222)新获得一项发明专利授权,专利名为“一种提高KGW晶体质量和利用率的晶体制备方法”,专利申请号为CN202210595917.5,授权日为2023年11月14日。
专利摘要:一种提高KGW晶体质量和利用率的晶体制备方法,采用缩口铂金坩埚为生长装置,下部分为圆筒形、上部分呈圆台形缩口的轴对称结构,缩口部分的高度占坩埚整体高度的1/4~1/8,锥状倾斜角度为10~30°,在晶体生长时,熔体生长液面在缩口部分与圆筒形部分的过渡部位,铂籽晶杆释放至熔体生长液面。本发明加速铂金坩埚壁附近熔体的流动,不仅保证生长熔体的均匀性,还对铂金坩埚中轴形成特殊的温场,抑制了KGW晶体b轴横向快速生长的性能,生长出来的晶体几乎接近长方体,提高了KGW晶体毛坯的利用率;铂金坩埚的缩口不影响下籽晶以及观察晶体生长情况,还对生长熔液产生的热流起了瓶颈性的向上冲力,避免外因影响晶体质量,再次提高KGW晶体利用率。
今年以来福晶科技新获得专利授权9个,较去年同期减少了55%。结合公司2023年中报财务数据,今年上半年公司在研发方面投入了3430.33万元,同比增10.63%。
数据来源:企查查
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